日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
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產(chǎn)品名稱: 日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
產(chǎn)品型號(hào): HG-C1400-P
產(chǎn)品展商: 日本Panasonic松下
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
使用環(huán)境濕度 35%RH～85%RH、存儲(chǔ)時(shí)：35%RH～85%RH
電源電壓 12V～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%
使用環(huán)境照度 白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長(zhǎng)2m
日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
的詳細(xì)介紹
日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
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報(bào)價(jià)QQ：2880626085
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溫度特性 0.03% F.S./℃
電流 ?輸出范圍：4mA~20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
?負(fù)載阻抗：300Ω大
反應(yīng)時(shí)間 1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入 〈NPN輸出型〉
重量 約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
使用標(biāo)* 2,000m以下
? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA下）
NPN無接點(diǎn)輸入
適用規(guī)格 符合EMC指令
(注1): 未**測(cè)量條件時(shí)，使用條件如下：電源電壓：24V DC、環(huán)境溫度：+20℃、反應(yīng)時(shí)間：10ms、測(cè)量中心 距離的模擬輸出值。對(duì)象物體：白色陶瓷。
?輸入條件
無效：＋8V～＋V DC或者開放
有效：0V～＋1.2V DC
保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)
輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
（注2） 約?150μm
? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA下）
短路保護(hù) 配備(自動(dòng)恢復(fù))
污染度 2
使用環(huán)境溫度 －10℃～＋45℃（注意不可結(jié)露、結(jié)冰）、存儲(chǔ)時(shí)：－20℃～＋60℃
使用環(huán)境濕度 35%RH～85%RH、存儲(chǔ)時(shí)：35%RH～85%RH
電源電壓 12V～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%
使用環(huán)境照度 白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜長(zhǎng)2m
材質(zhì) 本體外殼：鋁鑄件 前面蓋板：丙烯基
檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，檢測(cè)結(jié)果可能會(huì)受到影響。
受光元件 CMOS圖形傳感器
(注3): 測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測(cè)點(diǎn)范圍有*于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。
NPN開路集電極晶體管
? 大流入電流：50mA
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和0V之間）
光源 紅色半導(dǎo)體激光 1級(jí)(JIS/IEC/GB)
大輸出：0.2mW、發(fā)光光束波長(zhǎng)：655nm
光束直徑
? 漏電流：0.1mA以下
〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? 大源電流：50mA
? 漏電流：0.1mA以下
(注2): 該值為測(cè)量中心距離上的值。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區(qū)域外有漏光，并且 檢測(cè)點(diǎn)范圍有*于消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
控制輸出 〈NPN輸出型〉
? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出和＋V之間）
模擬輸出 電壓 ?輸出范圍：0V~5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
日本SUNX光電傳感器，常用型號(hào)報(bào)價(jià)
